«Sólo el 4% de los bits de todo el planeta son almacenados en memorias flash, y aun así estas representan el 20% del mercado de almacenamiento». Con esta frase marcó el contexto de su presentación Darren Thomas, vicepresidente de Micron Technology y responsable de su Storage Business Unit. Thomas y su equipo atendieron exquisitamente al grupo del IT Press Tour: le dedicaron una mañana en su sede de Milpitas y una cena en el Piatti de Santa Clara, todo para ilustrar a la prensa sobre la estrategia de la compañía: durante años, Micron ha sido un especialista que vendía miles de millones de unidades de memorias («our commodity business«) a fabricantes que los integraban en sus productos.
Darren Thomas
Desde que absorbió Elpida, fabricante japonés en quiebra, ascendió al segundo puesto en el ranking de este segmento y al quinto de la industria de semiconductores en 2014. En los últimos años, ha diversificado su campo de acción creando productos específicos para la industria del automóvil, entre otras verticales. «Nuestra estrategia consiste en acercarnos a los nuevos usos, a los usuarios finales y a las aplicaciones, este ha sido un motivo por el que Micron creó esta unidad de negocio que dirijo», resumió Thomas, antiguo VP de Storage Enterprise en Dell.
«Esto no implica renunciar al negocio con nuestros partners habituales», como IBM [para la que Micron fabrica discos de estado sólido] o Seagate [que integra sus chips en discos híbridos]. Asimismo, dijo, el firmware es fundamental, «porque nos abre las puertas de compañías como VMware, Oracle, etcétera». A cada necesidad su chip, y como las necesidades evolucionan rápidamente (ver gráfico), se hacen imprescindibles nuevas arquitecturas. Y más inversión, que no deja de ser un problema.
Eric Endebrock, VP de Marketing adjunto a Thomas, explicó que «a fuerza de concentrar los esfuerzos en los procesadores, la industria ha tocado límites que en nuestro caso exigen desarrollar una nueva arquitectura de memoria». Una peculiaridad de las memorias – sostuvo Endebrock – es que no han cambiado mucho comparadas con la velocidad alcanzada por Internet, los procesadores para PC, tabletas y smartphones, ni han acompasado la aparición de nuevos requisitos de los centros de datos y fenómenos como big data, cloud computing e hiperscala. Han reducido su tamaño, y desde luego han bajado de precio, pero lo cierto es que la arquitectura de un chip de memoria no volátil [que no se borra al apagar el dispositivo] sigue esencialmente fiel a la tecnología que Toshiba lanzó al mercado en 1989.
La industria debate desde hace tiempo la necesidad de nuevos tipos de memoria, y no han faltado intentos, como el de Numonyx, originalmente un proyecto de Intel que Micron adquirió en 2012, o los experimentos de Western Digital. El centro actual de ese debate es el desfase existente entre DRAM y NAND flash. Así se coló en la sesión informativa la novedad que en la últimas semana ha tenido a Micron en el candelero: su tecnología 3D Xpoint, que ha desarrollado junto con Intel. El lector necesita saber que desde el 2006 Micron e Intel tienen una sociedad en común, IM Flash, cuya factoría de wafers para memorias flash se alza en Utah; luego, cada socio fabrica sus propios productos y lo comercializa por separado. Esta fórmula de mutua conveniencia tiene ahora ocasión de mostrar que los socios diponen de capacidad para responder a la evolución del almacenamiento de datos.
Esta tecnología de memoria no volátil, bautizada como 3D XPoint sería 1.000 veces más rápida que una NAND flash y 10 veces más densa (aunque menos rápida) que una DRAM. Su ubicación en la jerarquía de las memorias estaría entre una DRAM y una NAND, con la previsible intención de desplazar a la primera categoría. A tenor de las presentaciones de la mañana, la arquitectura «punto de cruz» (sic) consiste en un damero de tres dimensiones en el que cada celda está unida por hilos de metal perpendiculares entre sí, lo que permite conexiones muy rápidas. En sí misma, la celda se compone de un interruptor y un elemento de memoria, sin necesidad de transistor. Una de las consecuencias es que almacena los datos sin desplazar electrones – como hacen las NAND – modificando la resistencia de un material que, ay, no fue identificado.
Las aplicaciones potenciales son múltiples, desde los juegos hasta la genómica, y otras en las que la relación entre baja latencia y alta velocidad de acceso es importante, y en la que esta tecnología promete ventajas de coste. En términos económicos, el coste por bit – ¿otro secreto industrial? – se situaría entre una DRAM y una NAND, probablemente más cerca del nivel actual de la primera. Algo que probablemente no se concrete hasta que Micron e Intel [hay que insistir: por separado] anuncien sus primeros productos, no antes del verano de 2016. Inicialmente, Micron lanzaría una versión de 128 Gb, que sería producida en su factoría de Singapur con los wafers que reciba de la planta de IM Flash en Utah.
En otra presentación en San Francisco, días después, Mark Durcan, CEO de Micron, deslizó una aproximación de sus expectativas: Durcan espera que 3D Xpoint represente para la compañía en 2018 un negocio «del mismo orden de magnitud» (sic) que las memorias DRAM para la misma fecha. Como es lógico, los competidores, e incluso su socio Intel, tendrán mucho que decir en el desarrollo real del mercado.
Los analistas de la industria han valorado positivamente el anuncio, por la simple razón de que una mayor densidad promete rendimientos superiores y un descenso relativo de costes. Sin embargo, consideran bajos los rendimientos actuales y el precio les parece demasiado alto por comparación a los chips flash de diseño plano. Micron – y por su lado Intel – no dan mayor importancia al retraso que llevan con respecto a Samsung, que en agosto de 2013 inició la producción de sus NAND, más de un año antes de los primeros prototipos de aquéllas. Otros competidores han entrado en campaña para recuperar terreno. Toshiba se apresta a anunciar su versión de 3D-NAND de 48 capas [los ingenieros discuten qué número de capas sería idóneo]. Por otra parte, se supone que SK Hynix se sumará pronto a la carrera; todos son indicios de que el mercado va tomando forma.
Para Micron, tan importante como la opinión de esos analistas es la reacción de los inversores. Durante los últimos años, la acción de Micron ha sido una de las más rentables del sector de semiconductores, hasta alcanzar su cénit en diciembre de 2014; desde entonces, ha descendido un 42% con respecto a su máximo de los últimos doce meses. Los resultados no justifican la desconfianza de los últimos tiempos; entonces ¿qué lo explica? La necesidad de afrontar cuantiosas inversiones de capital parece asustarles. La nueva tecnología elevará el capex de 2016 a un nivel más alto que la horquilla de 3.600 / 4.000 millones del año fiscal 2015, porque la compañía tiene que atender varios frentes a la vez: su 3D NAND, pero también la adaptación de procesos de fabricación a 20 nanometros y menos.
Aunque en las discusiones con la prensa hubo tiempo para hablar de las operaciones de consolidación en el sector de los semiconductores nada podía añadirse sobre el rumor no confirmado según el cual la empresa china Tsinghua Unigroup estaría cocinando una oferta por Micron, valorándola en 23.000 millones de dólares. Desde su publicación, no ha habido más ruido, pero en todo caso no parece que la oferta tenga futuro. Por razones geopolíticas y, en lo que concierne a este asunto concreto, porque el acuerdo entre Micron e Intel prohibe expresamente que la tecnología de su filial común IM Flash sea transferida a un eventual comprador, sea quien sea.